九师联盟 2023~2024学年高三核心模拟卷(中)(一)1理科综合(新教材)试题

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    2、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷
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    7、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷
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    9、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷下
    10、九师联盟2023-2024学年高三核心模拟卷(上)一
离?=0,4m的水面上。若滑水者可视为质点,其质量m=50kg,在管道中滑行的时间1=33.离n木有时阻方表子(1)滑水者落到水面上时的动能大小:(2)滑水者在管道中滑行时阻力对其做的功,(3)下滑过程中管道对滑水者的冲量大小。h号-分原n绿》-ng-加25.(20分)质谱仪的部分原理图可简化为如图甲所示,离子源(在狭缝上方,图中未画出)产生的带电离子经狭缝之间的电场加速后,匀速运动一段时间并垂直射入偏转磁场区域(匀强磁场方向垂直纸面,PQ为磁场的边界,未画出),加速电场的电压随时间变化如图乙所示。离子进人磁场区域后,在洛伦兹力的作用下发生偏转,最终打到照相底片上并被接收,形成一细条纹。离子源产生的离子初速度为零、电荷量为十g(g>0)、质量为m,当加速电压为心,时,离子恰好打在P点,PN为放置照相底片的离子检测区域,M为PO的中点。已知M0=L,MN=号,不计度子的重力以及离子在电场内加速时电压的变化与加速时间。04=im(1)求加速电压为U,时,离子经加速电场加速后的速度;mo zuq(2)若要求所有的离子都能打在照相底片上,求离子进入加速电场的时间范涠2心(3)若偏转磁场区域为圆形,且与PQ相切于O点,如图丙所示,其他条件林疫当加速电压为U。时,要保证离子进入偏转磁场后不能打到PQ边界上(PQ足够长),求磁场区域的半径R应满足的条件。↑U子电照相底片加速电场UM偏转磁场图甲图乙图丙26.(14分)硫的化合物有重要用途。硫代硫酸钠(NaSO)可用于氯化物中毒的解毒,治疗尊麻疹等皮肤病,它在中性、碱性环境中稳定,在酸性较强的溶液中产生S和SO。实验室可以利用如图所示装置制备NaS,O和焦亚硫酸钠NaS,O)Na:SONa-SO饱和溶液固体CBNaS和NaCO溶液DYGOX科综合能力测试(二)·第3页】
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