炎德·英才大联考 2024年春季高一年级入学暨寒假作业检测联考化学试题

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合能形成SC,、SB4,上述四种物质沸点由高到低的顺序为,丁硅烯(SH)中。键与π键个数之比为时间为2s,则(3)GaN、GaP,GaAs都是共价晶体,熔点如下表所示,分析其熔点变化的原因:会对人类及生晶体GaNGaPGaAs熔点1700℃1480℃1238℃18.(12分)教材插图具有简洁而又内涵丰富的特点。请回答以下问题:()第三周期的某主族元素,其第一至第五电离能数据如图1所示,则Cr3+OH该元素原子核外有种不同运动状态的电子。③沉淀电离能(kJ/mol)沸点/℃↑10013630I2O,能说明第105405077330五长点度501451100,点da738--1505周期图1图2淀溶解衡:(2)如图2所示,每条折线表示周期表第VA~IA族中的某一族元素OH)3的溶度简单氢化物的沸点变化。每个小黑点代表一种氢化物,其中a点代1/L时溶液的表的是:判断依据是(3)CO,在高温高压下所形成的晶体其晶胞结构如图3所示。则该晶辉的进行,阴极体的类型属于晶体方程式解释下阴极附近溶液化合物如砷化图(4)第一电离能介于A1、P之间的第三周期元素有种。则控、光纤通信(5)图4是碳化硅的晶胞结构。若碳化硅晶胞边长为apm,阿伏加德罗常数的值为NA,则碳化硅晶体的密度为g/cm3(列出计算为种式即可)。有立数是等,与氯、溴结高二化学试题(附中版)第8页(共8页)
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