扎鲁特一中/银川四模2023-2024学年度高三第二学期第四次模拟考试答案(物理)正在持续更新，目前2026届炎德英才大联考答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

15.(16分)芯片制造中，离子注入是一道重要的工序。如图是一部分离子注入工作原理示意图。从离子源A处飘出带正电的离子初速度不计，经匀强电场加速后，从P点以速度ⅴ沿半径方向射入圆形磁分析器，磁分析器中存在垂直于纸面向外的匀强磁场B,(大小未知)，与矩形离子控制区abcd相切于Q点，ad边长为L,开始时控制区无任何场，离子从Q点离开磁分析器后可匀速穿过控制区，注入cd处的硅片上。己知离子质量为m,电荷量为9，在圆形磁分析器中运动的时间为t,图中α、P、Q三点连线正好可构成一个等边三角形，bQ足够长，不计离子的重力和离子间的相互作用。(1)求加速电场的电压U;磁分析器(2)求圆形磁分析器的半径r;(3)若在控制区加上垂直于纸面向里磁场B2，其磁感应强度大小沿ad方向按B,=B。+的规律均匀变化，x为该点到控制区ab边的距离，k为已知的常数且无>0，则要使离子不打到硅片上，ab边所在位置的磁感应强度B。至少为多少？高三年级物理科试卷共8页第8页